Ремонт БП ноутбука Lenovo

[Alex 11]

Включи его с нагрузкой, полностью открой по затвору, замерь напряжение сток- исток и ток в цепи. Закон деда Ома никто не отменял.

[vitamin]

А что в качестве нагрузки использовать? Можешь схему накидать?

[Alex 11]

Да какая схема, проще простого хоть резистор, хоть лампа какая, даешь от лабораторника например один ампер, в цепи лампа- транзистор подав на затвор напряжение из даташита, меряешь падение напряжения на переходе. делишь это напряжение в вольтах на ток в амперах, вот тебе приближенное значение RDS. Транзистор ессно на радиаторе.
   

[vitamin]

Аааа, вот так понял. Спасибо!

[vitamin]

Что-то где-то я накосячил  

Провел эксперимент, проверял Rds вот по такой схеме:



Для начала проверил таким способом китайский IRF740:

dU  = 1.38 V
I     = 0.860 A
Rds = (dU / I) = 1.604 Ом (по даташиту - 0.55 Ом)

Потом приехавшие STF13NM60N:

dU  = 1.8 V
I  = 0.810 A
Rds = (dU / I) = 2.222 Ом  (по даташиту - 0.36 Ом)

Что-то дохрена подумал я, почти в 8 раз выше "среднего по палате" и в 6 раза больше максимального (по даташиту).
Тогда я проверил (по этой же схеме) еще транзистор STP7NK80ZFP, которые я покупал когда ремонтировал монитор на NCP1200 и там этот транзистор прекрасно трудится уже давно.

dU  = 3.1 V
I  = 0.680 A
Rds = (dU / I) = 4.559 Ом (по даташиту - 1.50 Ом)

Так что я только еще больше запутался и нихрена не понимаю "пойдет" он или "не пойдет"?

[Alex 11]

что то в этой сказочке не так, освобожусь- гляну.

[Alex 11]

Итак, собираю стенд с такими же условиями как у тебя, с той лишь разницей, что подаю на затвор со второго канала БП, так чтобы не отступая от даташита подать ровно 10в. Нашел 4 штуки IRF740, точнее один IRF740, второй IRF740A, третий и четвертый IRF1740G. Первый в руки попал IRF740, замеряю, получается 1,2 ома RDS. Никак не 0,55 ома из даташита, чешу репу... Беру второй, IRF740A, измеряю и о чудо, 0,4 ома... Третий и четвертый тоже самое. Я точно помню, что выдирал их из какого то монитора, скорее всего не все, один затесался из китайской рисовой соломы. Чуть заниженное  RDS (0,4 ома) можно отнести к относительно малому току стока 0.5А.
Так что тема работает на все сто.

[vitamin]

Хм, нашел у себя 19NM50N, повторил эксперимент.

dU = 0.23 V
I = 0.960 A
Rds = (dU / I) = 0.239 Ом (по даташиту - 0.25 Ом)

Покупались в Китае, судя по Rds похоже на оригинал.
Но!
Транзистортестер показывает емкость затвора - 4.4nf, а по даташиту должно быть 1nf…
Правда указаны параметры как Vds = 50 V, f = 1 MHz

Чему верить?

[Alex 11]

А верить на сто можно после третьего этапа проверки. Я лет двадцать назад собрал приблуду из журнала радио, суть ее заключается в том что на проверяемую деталь подается высокое напряжение с очень маленьким током. У транзисторов можно отследить когда начинается пробой не повреждая переход. Пользуюсь редко, но в случае проверки высоковольтных дел штука незаменимая.
Можно подать через высокоомный резистор напряжение из даташита, подтянув затвор к истоку резистором. Если оригинал, будет ессно держать.
Китайцы они такие китайцы, могли че нибудь менее высоковольтное перетереть.

[vitamin]

Ну перемаркировку сразу же видно, а тут не заметно (вроде бы).
Замерил мультиметром емкость затвор-исток - получилось 3.4 nf