У современных транзисторов (да и КТ315 у меня тоже такие) - большой ку (h21э), от 300 до 450 (2N3904 в том числе).
Авторы трансивера рекомендуют использовать в ПЧ транзисторы с h21э не выше 80-150 (если память не изменяет). Большой h21э может привести к самовозбуждению УПЧ.
Я вот что подумал - может быть чтобы снизить коэффициент усиления каскадов ПЧ в эмитерах VT6 и VT8 (а точнее между эмитерами и их резисторами на 1 кОм) поставить резисторы (уже не за шунтированные) Ом на 10..100 для создания отрицательной обратной связи? ООС снизит общее усиление, предотвратит самовозбуждение и так же стабилизирует работу каскадов. Что скажешь?
Авторы трансивера рекомендуют использовать в ПЧ транзисторы с h21э не выше 80-150 (если память не изменяет). Большой h21э может привести к самовозбуждению УПЧ.
Я вот что подумал - может быть чтобы снизить коэффициент усиления каскадов ПЧ в эмитерах VT6 и VT8 (а точнее между эмитерами и их резисторами на 1 кОм) поставить резисторы (уже не за шунтированные) Ом на 10..100 для создания отрицательной обратной связи? ООС снизит общее усиление, предотвратит самовозбуждение и так же стабилизирует работу каскадов. Что скажешь?